Оперативная память Samsung M386A8K40BM2-CTD7Q
42 804.22 ₽
Цена указана с учётом НДС 22%
Пообщаться с менеджером
Нашли дешевле?
Гарантия 12 месяцев
Характеристики
Тип устройства
:
Память
Тип оперативной памяти
:
DDR4
Описание
Оперативная память Samsung M386A8K40BM2-CTD7Q
Подробности
Арт. M386A8K40BM2-CTD7Q
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 2666MHz M386A8K40BM2-CTD7Y - это высокопроизводительный модуль, обеспечивающий эффективную работу современных систем. Благодаря объёму в 64 ГБ и скорости передачи данных до 2666 МГц, данная память позволит вашему устройству справляться с самыми ресурсоёмкими задачами.
Технология DDR4 обеспечивает улучшенную энергоэффективность, повышенную пропускную способность шины и снижение энергопотребления по сравнению с предыдущими поколениями оперативной памяти. Это делает модули Samsung идеальным выбором для сборки современных систем.
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 2666MHz M386A8K40BM2-CTD7Y отличается высоким качеством сборки и надёжностью. Усовершенствованная система охлаждения гарантирует стабильную работу даже в условиях высоких нагрузок. Модули имеют фирменную гарантию производителя, что подтверждает уверенность в их долговечности.
Характеристики:
Объем: 64 ГБ
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Латентность (CAS Latency): 19
Рабочее напряжение: 1.2 В
Интерфейс: 288-контактный
Охлаждение: Пассивное
Технология DDR4 обеспечивает улучшенную энергоэффективность, повышенную пропускную способность шины и снижение энергопотребления по сравнению с предыдущими поколениями оперативной памяти. Это делает модули Samsung идеальным выбором для сборки современных систем.
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 2666MHz M386A8K40BM2-CTD7Y отличается высоким качеством сборки и надёжностью. Усовершенствованная система охлаждения гарантирует стабильную работу даже в условиях высоких нагрузок. Модули имеют фирменную гарантию производителя, что подтверждает уверенность в их долговечности.
Характеристики:
Объем: 64 ГБ
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Латентность (CAS Latency): 19
Рабочее напряжение: 1.2 В
Интерфейс: 288-контактный
Охлаждение: Пассивное
Тип устройства
Память
Тип оперативной памяти
DDR4
Объем модуля DRAM, Гб
64
Поддержка ECC памяти
Да
Производитель
Samsung
Тактовая частота памяти
2666 MHz
Форм-фактор памяти
LRDIMM
Тип устройства
Память
Тип оперативной памяти
DDR4
Объем модуля DRAM, Гб
64
Поддержка ECC памяти
Да
Производитель
Samsung
Тактовая частота памяти
2666 MHz
Форм-фактор памяти
LRDIMM
