Артикул:
M393A1G43DBO-CPB
Оперативная память M393A1G43DBO-CPB 8GB DDR4
Подробности
Характеристики
Тип устройства
—
Память
Тип оперативной памяти
—
DDR3
Объем модуля DRAM, Гб
—
4
Поддержка ECC памяти
—
Да
Базовая единица
—
шт
Производитель
—
Samsung
Все характеристики
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 доступна для заказа. Вы можете купить M393B5270CH0-YH9Q4 по самой выгодной цене. Технические специалисты помогут вам с подбором оборудования по вашему запросу.
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 – это модуль памяти, созданный компанией Samsung. Он предназначен для использования в серверных системах и обладает высокой производительностью и надежностью.
Модуль поддерживает скорость передачи данных DDR3-1333, что позволяет эффективно обмениваться данными между процессором и памятью. M393B5270CH0-YH9Q4 соответствует стандарту DIMM (Dual In-Line Memory Module) и имеет 240-контактный разъем. Это позволяет его просто устанавливать и заменять в совместимых системах.
Модуль работает при напряжении питания 1,5 вольт, что обеспечивает энергоэффективность и снижение потребления электроэнергии.
Характеристики:
Тип оборудования: Модуль памяти Registered DDR3
Объем модуля памяти: 4 Гб
Форм-фактор памяти: DIMM
Частота функционирования до 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3L-10600 (DDR3 1333 МГц)
Пропускная способность памяти: 10600 Мб/сек
Тайминги памяти: 7-7-7-20
Memory rank: single
Поддержка ECC: Есть
Напряжение питания: 1.35 В
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 – это модуль памяти, созданный компанией Samsung. Он предназначен для использования в серверных системах и обладает высокой производительностью и надежностью.
Модуль поддерживает скорость передачи данных DDR3-1333, что позволяет эффективно обмениваться данными между процессором и памятью. M393B5270CH0-YH9Q4 соответствует стандарту DIMM (Dual In-Line Memory Module) и имеет 240-контактный разъем. Это позволяет его просто устанавливать и заменять в совместимых системах.
Модуль работает при напряжении питания 1,5 вольт, что обеспечивает энергоэффективность и снижение потребления электроэнергии.
Характеристики:
Тип оборудования: Модуль памяти Registered DDR3
Объем модуля памяти: 4 Гб
Форм-фактор памяти: DIMM
Частота функционирования до 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3L-10600 (DDR3 1333 МГц)
Пропускная способность памяти: 10600 Мб/сек
Тайминги памяти: 7-7-7-20
Memory rank: single
Поддержка ECC: Есть
Напряжение питания: 1.35 В
|
Тип устройства
|
Память |
|
Тип оперативной памяти
|
DDR3 |
|
Объем модуля DRAM, Гб
|
4 |
|
Поддержка ECC памяти
|
Да |
|
Базовая единица
|
шт |
|
Производитель
|
Samsung |
|
Напряжение питания
|
1.35 В |
|
Тактовая частота памяти
|
1333 МГц |
|
Форм-фактор памяти
|
DIMM |
