Артикул:
MT18KDF51272PDZ-1G6K1LE
Оперативная память 4GB MT18KDF51272PDZ-1G6K1LE
Подробности
Характеристики
Тип устройства
—
Память
Тип оперативной памяти
—
DDR3
Объем модуля DRAM, Гб
—
4
Поддержка ECC памяти
—
Да
Базовая единица
—
шт
Производитель
—
Kingston
Оперативная память 4GB 1333MHz DDR3 ECC CL9 DIMM
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
|
Тип устройства
|
Память |
|
Тип оперативной памяти
|
DDR3 |
|
Объем модуля DRAM, Гб
|
4 |
|
Поддержка ECC памяти
|
Да |
|
Базовая единица
|
шт |
|
Производитель
|
Kingston |
