Оперативная память Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD
11 770.65 ₽
Цена указана с учётом НДС 22%
Пообщаться с менеджером
Нашли дешевле?
Гарантия 12 месяцев
Характеристики
Тип устройства
:
Память
Тип оперативной памяти
:
DDR4
Описание
Оперативная память Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD
Подробности
Арт. M378A1K43CB2-CTD
Оперативная память Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD - это надежное и высококачественное решение для повышения производительности вашего компьютера. С этим модулем памяти от Samsung вы сможете значительно ускорить работу вашей системы и повысить эффективность выполнения задач.
Данная оперативная память обладает внушительным объемом 8 Гб, что позволит запускать множество приложений одновременно без потерь в производительности. С частотой 2600МГц и поддержкой стандарта DDR4, модуль обеспечивает быструю передачу данных и оптимальное функционирование вашего компьютера.
Модуль Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD легко устанавливается и совместим с большинством современных систем. Благодаря надежности и долговечности продукции Samsung, вы можете быть уверены в стабильной работе вашего оборудования.
Характеристики:
Объем: 8 Гб
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Стандарт: PC4-21300
Задержка CAS: CL19
Тип разъема: DIMM 288-pin
Ранг: dual rank
Напряжение: 1.2 В
Данная оперативная память обладает внушительным объемом 8 Гб, что позволит запускать множество приложений одновременно без потерь в производительности. С частотой 2600МГц и поддержкой стандарта DDR4, модуль обеспечивает быструю передачу данных и оптимальное функционирование вашего компьютера.
Модуль Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD легко устанавливается и совместим с большинством современных систем. Благодаря надежности и долговечности продукции Samsung, вы можете быть уверены в стабильной работе вашего оборудования.
Характеристики:
Объем: 8 Гб
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Стандарт: PC4-21300
Задержка CAS: CL19
Тип разъема: DIMM 288-pin
Ранг: dual rank
Напряжение: 1.2 В
Тип устройства
Память
Тип оперативной памяти
DDR4
Объем модуля DRAM, Гб
8
Поддержка ECC памяти
Да
Производитель
Samsung
Напряжение питания
1.2 В
Время задержки CAS
19
Тактовая частота памяти
2666 МГц
Форм-фактор памяти
DIMM
Тип устройства
Память
Тип оперативной памяти
DDR4
Объем модуля DRAM, Гб
8
Поддержка ECC памяти
Да
Производитель
Samsung
Напряжение питания
1.2 В
Время задержки CAS
19
Тактовая частота памяти
2666 МГц
Форм-фактор памяти
DIMM