Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 2
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 2
Тип устройства
|
Память |
Тип оперативной памяти
|
DDR3 |
Объем модуля DRAM, Гб
|
4 |
Базовая единица
|
шт |
Производитель
|
Kingston |