Технические характеристики
Тип памяти DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тактовая частота 2400 МГц
Пропускная способность 19200 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 17
RAS to CAS Delay (tRCD) 17
Row Precharge Delay (tRP) 17
Количество чипов каждого модуля 9, односторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 1
Тип памяти DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тактовая частота 2400 МГц
Пропускная способность 19200 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 17
RAS to CAS Delay (tRCD) 17
Row Precharge Delay (tRP) 17
Количество чипов каждого модуля 9, односторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 1
Тип устройства
|
Память |
Тип оперативной памяти
|
DDR4 |
Объем модуля DRAM, Гб
|
8 |
Поддержка ECC памяти
|
Да |
Базовая единица
|
шт |
Производитель
|
Kingston |