Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 2
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 2
Тип устройства
|
Память |
Тип оперативной памяти
|
DDR3 |
Объем модуля DRAM, Гб
|
16 |
Поддержка ECC памяти
|
Да |
Базовая единица
|
шт |
Производитель
|
Kingston |